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SK海力士即将亮相FMS 2024,展示AI存储器技术新突

时间:2024-08-05 09:26

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作者:admin

标签: SK海力士  存储器  半导体 

导读:SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩,向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能(AI)未来的深邃洞察。此次参...

SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩,向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能AI)未来的深邃洞察。此次参展,SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新,更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。

会上,SK海力士将自豪地揭开其下一代AI存储器产品的神秘面纱,包括备受瞩目的12层HBM3E样品,该产品预计将于今年第三季度正式投入量产,其高性能与高效能特性将为AI计算领域带来革命性变化。此外,SK海力士还将展示其前瞻性的研发成果——计划于明年上半年推出的321层NAND闪存,这一技术突破预示着存储密度的巨大飞跃,将为AI数据密集型应用提供更加坚实的支撑。

通过此次展示,SK海力士不仅彰显了其在存储器技术领域的领先地位,更向全球传递了其在AI时代持续创新、引领未来的坚定信念。

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