安森美推出高效数据中心电源解决方案

2024年6月6日 - 数据中心的人工智能计算需求日益增长，能耗随之变大。因此，如何提升其能效成为了关键挑战。针对此问题，安森美推出了全新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合，为数据中心带来高效能和优异散热性能的完美解决方案。

相较于普通搜索引擎，配备人工智能的引擎需消耗多出10倍的电力。据预测，未来两年内，全球数据中心的电力需求将高达约1，000太瓦时（TWh）。电力需经由电网至处理器进行四次转换，其中约有12%的电力会被浪费。然而，采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案后，数据中心的电力损耗可降低约1%。若全球数据中心都采纳这一方案，每年可节省约10太瓦时的能源消耗，相当于为近百万户家庭提供全年用电。

EliteSiC 650V MOSFET具备出色的开关性能及更低的器件电容，能在数据中心和储能系统中实现更高效率。与前代产品相比，新一代碳化硅（SiC） MOSFET的栅极电荷减半，输出电容（Eoss）和输出电荷（Qoss）中的能量分别减少了44%。与超级结 （SJ） MOSFET相比，其关断时无拖尾电流，高温下表现更为优秀，能大幅降低开关损耗。这使得客户在提高工作频率的同时，系统元件尺寸得以缩小，进而降低整体系统成本。

此外，T10 PowerTrench系列专为处理DC-DC功率转换级的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供高功率密度和优良散热性能。其采用屏蔽栅极沟槽设计，拥有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS（on）。同时，软恢复体二极管和较低的Qrr有效降低了振铃、过冲和电气噪声，保证了在高压环境下的最佳性能、可靠性和稳定性。T10 PowerTrench系列还符合汽车应用所需的严苛标准。

值得一提的是，该组合解决方案完全符合超大规模运营商所要求的开放式机架V3 （ORV3）基本规范，支持下一代大功率处理器。

“人工智能和电气化正改变着我们的生活，电力需求猛增。安森美的责任就是通过不断创新，提升功率半导体的能效，推动这些科技发展。”安森美电源方案分部总裁Simon Keeton表示，“我们的最新解决方案能显著降低能量转换过程中的功率损耗，对下一代数据中心的需求产生积极影响。”